芯科技音讯（文/罗伊）三星2019年跨年夜惊传出华城厂停电，部分出产线因而中止运转，影响包括动态随机存取存储器（DRAM）、贮存型闪存（NAND Flash）及极紫外光（EUV）逻辑芯片出产。受此音讯影响，我国台湾地区的存储器厂商2日在台股价同步走扬，EUV制程对手台积电也同步登高。
据韩联社报道，三星华城厂因区域电缆呈现一些显着的反常问题，停电约1-2分钟，公司决议罢工查看产线、评价丢失程度等，估计全体产能要2-3天时刻彻底康复，而这恐使三星丢失数百万美元。
据悉，该厂首要出产DRAM、NAND Flash以及选用EUV技能的LSI代工（含CIS图画处理器），而该厂别离占公司DRAM、NAND Flash总产能21%、27%，以及全球总产能的8%及9%。EUV产线则因制程较新，影响更为严重。
业内人士以为，日前另一大厂铠侠四日市厂区2条NAND Flash产线相同呈现停电问题，耗时半年复工，其时约全球5%NAND Flash产能受影响，使价格急涨逾15%；而非三星现在力拼短时刻康复产能，商场紧盯其复工状况，预期若罢工期拉长，将有助三星及工业消化库存，并在5G、智能家庭、无人驾驶轿车等体裁驱动下，商场供需有望加快趋向平衡。
受利多音讯鼓励，台存储器厂商2020年开关首日股价群起走升，DRAM厂南亚科早盘一度达89.7元新台币（单位下同），涨6.3元，涨幅7.55%；NAND闪存操控IC群联一度涨22元来到362.5元，涨幅约6.46%；旺宏、威刚涨幅也均逾4%。台积电作为三星EUV制程最大竞争对手，股价最高也攀升至339元，涨约2.42%。
展望2020年存储器商场，研调组织IC Insights日前预估，受5G、云端与高性能核算等需求微弱生长推进，2020年NAND Flash商场将强势康复生长19%，为一切IC产品中动能最强类别；在智能手机、消费性电子等需求走强下，预估DRAM也将逆势生长约12%。
别的，台积电首先选用EUV微影技能的7纳米强效版制程于2019年第2季量产，并帮忙客户产品很多进入商场，据了解，在7纳米制程量产逾1年状况下，N7+与N7良率已适当挨近。此外，台积电6、5纳米制程也将部分选用EUV技能出产，5纳米预估上半年量产，6纳米则估计鄙人半年量产。（校正/小山）
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